硅酸盐通报 ›› 2006, Vol. 25 ›› Issue (5): 155-157.
辛少波;梁小平;徐学文;王小会
出版日期:2006-10-15
发布日期:2021-01-15
XIN Shao-bo;LIANG Xiao-ping;XU Xue-wen;WANG Xiao-hui
Online:2006-10-15
Published:2021-01-15
摘要： 通过傅立叶红外光谱仪(FFIR)技术研究了由快中子辐照直拉硅中引入的辐照缺陷--双空位(V2)退火行为,主要研究了不同中子辐照剂量对双空位的影响.实验结果表明:随辐照剂量的增加双空位缺陷的浓度并不会无限地增加;间隙氧原子很容易与双空位缺陷结合形成比较稳定的空位-氧复合体,当退火温度超过200℃,双空位吸收峰消失.
中图分类号:
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