加热温度对GOI法生长蓝宝石晶体影响的数值模拟

硅酸盐通报 ›› 2006, Vol. 25 ›› Issue (4): 184-189.

加热温度对GOI法生长蓝宝石晶体影响的数值模拟

许承海;杜善义;孟松鹤;左洪波;张明福

哈尔滨工业大学复合材料研究所,哈尔滨,150001

出版日期:2006-08-15 发布日期:2021-01-15

Numerical Simulation of Heater Temperature Effect on Sapphire Crystal Growth with GOI Method

XU Cheng-hai;DU Shan-yi;MENG Song-he;ZUO Hong-bo;ZHANG Ming-fu

Online:2006-08-15 Published:2021-01-15

摘要/Abstract

摘要： 利用数值模拟分析方法,模拟了通过调节加热温度促进GOI法蓝宝石晶体生长的过程.分析了加热温度变化对晶体生长的固液界面凸出率、晶体内温度分布、温度梯度的影响;热交换器散热参数与加热温度之间的关系.结果表明,在GOI法蓝宝石晶体生长中,合适的降温控制程序有利于提高晶体生长质量,晶体生长速率会随着加热温度的降低而快速增加.在相同降温程序下,较大的热交换器散热能力具有较快的晶体生长速率;低的热交换器散热能力和加热温度有利于降低晶体生长的界面凸出率.

中图分类号:

TQ17

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