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硅酸盐通报 ›› 2006, Vol. 25 ›› Issue (4): 41-44.

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Ga2O3氮化法合成GaN粉体的研究

殷立雄;王芬;杨茂举;黄艳   

  1. 陕西科技大学材料科学与工程学院,咸阳,712081
  • 出版日期:2006-08-15 发布日期:2021-01-15
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(50372037)

Synthesis of GaN Powder by Directly Nitriding Ga2O3

YIN Li-xiong;WANG Fen;YANG Mao-ju;HUANG Yan   

  • Online:2006-08-15 Published:2021-01-15

摘要: 在管式电炉中,采用Ga2O3与NH3高温常压下反应生成了GaN粉体.通过XRD和AFM对生成物进行了分析,并研究了各种工艺参数如反应温度、保温时间、NH3的流量及反应气氛等因素对生成GaN粉体的影响.结果表明用高纯Ga2O3与NH3在温度为1100℃,NH3流量为26L/h时能够合成高纯度的六方GaN粉体.

关键词: GaN粉体;Ga2O3;氨气;管式炉

中图分类号: