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硅酸盐通报 ›› 2006, Vol. 25 ›› Issue (4): 18-21.

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Mg掺杂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜介电性能的影响

韦其红;陶文宏;付兴华;侯文萍   

  1. 济南大学材料科学与工程学院,济南,250022
  • 出版日期:2006-08-15 发布日期:2021-01-15
  • 基金资助:
    济南大学校科研和教改项目(60518)

Effect of Mg-Doping on the Dielectric Behavior of Ba0.5Sr0.5TiO3 Thin Films

WEI Qi-hong;TAO Wen-hong;FU Xing-hua;HOU Wen-ping   

  • Online:2006-08-15 Published:2021-01-15

摘要: 用醋酸盐和钛酸四丁酯为原料,采用sol-gel工艺在Pt/TiO/SiO/Si基片上制备了含有Mg元素的Sr0.5Ba0.5-xMgxTiO3薄膜,其退火处理温度为750℃.通过X射线衍射和扫描电镜分析技术研究了薄膜的相结构和形貌.采用美国HP Angilent 4294A阻抗分析仪测试了以Pt为底电极、Ag为上电极的MFM电容器的介电性能.实验结果表明:掺镁Sr05Ba05.xMgxTiO3薄膜较未掺杂的Ba05Sr0.5TiO3薄膜相对介电常数高、介电损耗低.介温谱表明在居里温度附近发生了弥散型相变,且居里温度有向低温方向漂移的趋势.

关键词: 钛酸锶钡薄膜;X射线衍射;介频谱;介温谱

中图分类号: