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硅酸盐通报 ›› 2006, Vol. 25 ›› Issue (3): 58-61.

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低压ZnO压敏电阻中Bi2O3-TiO2相变过程的研究

许业文;范卓维;徐政;孙丹峰   

  1. 同济大学材料科学与工程学院,上海,200092;总装备部工程兵科研一所,无锡,214035;同济大学材料科学与工程学院,上海,200092;苏州中普电子有限公司,苏州,215011
  • 出版日期:2006-06-15 发布日期:2021-01-15

Bi2O3-TiO2 Phase Variation in Low-Voltage ZnO Varistor

XU Ye-wen;FAN Zhuo-wei;XU Zheng;SUN Dan-feng   

  • Online:2006-06-15 Published:2021-01-15

摘要: 在最高温度950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下,采用2种配方:98.3%ZnO-0.7%Bi2O3-1.0%TiO2(摩尔分数),相应的无TiO2配方99.3%ZnO-0.7%Bi2O3(摩尔分数),分别制备样品进行对比研究.发现前者在950℃和1050℃的烧结温度下,没有形成明显Bi2O3偏聚的晶界;在1150℃和1250℃下,却形成了清晰的富铋晶界.而后者在950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下均形成了非常明显且清晰可辨的ZnO晶粒和晶界.通过XRD及相对峰强分析,发现了Bi2O3和TiO2在低压ZnO压敏电阻中的相变过程,并对其在烧结过程中的作用提出新的解释.

关键词: 低压氧化锌压敏电阻;烧成温度;氧化铋;二氧化钛;晶粒晶界

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