不同硅片对SBT薄膜结构与性能的影响

硅酸盐通报 ›› 2005, Vol. 24 ›› Issue (2): 76-79.

不同硅片对SBT薄膜结构与性能的影响

付兴华;傅正义;丁碧妍;单连伟;韦其红;侯文萍

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;济南大学材料学院,济南,250022;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;济南大学材料学院,济南,250022

出版日期:2005-04-15 发布日期:2021-01-15

Influences of Substrates of Monocrystalline Silicon (100) on the Properties and Microstructure of Sr0.5Ba0.5TiO3 Thin Films

Fu Xinghua;Fu Zhengyi;Ding Biyan;Shan Lianwei;Wei Qihong;Hou Wenping

Online:2005-04-15 Published:2021-01-15

摘要/Abstract

摘要： 采用HPAgilent4294A阻抗分析仪、XRD、TEM等测试方法研究了不同电阻率硅片对Sr0.5Ba0.5TiO3(SBT)薄膜结构与性能的影响.在测试频率为1KHz时,在高阻硅片上生成的SBT薄膜的相对介电常数εr,介质损耗tanδ分别为100.54,0.060,材料的介电性能相对提高,并表现出较好的频散特性;最大εr温度点Tm(居里温度)稍微移向高温.在高阻硅片上制备的SBT薄膜易生成四方钙钛矿结构,薄膜表面无裂纹,孔洞少,比较致密,晶粒的平均粒径均为80nm,分布均匀;晶格条纹间距约为0.296nm,晶界2侧的晶粒取向是随机的.

中图分类号:

TQ17

付兴华;傅正义;丁碧妍;单连伟;韦其红;侯文萍. 不同硅片对SBT薄膜结构与性能的影响[J]. 硅酸盐通报, 2005, 24(2): 76-79.

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