真空蒸发法制备氧化钒薄膜的研究

硅酸盐通报 ›› 2005, Vol. 24 ›› Issue (1): 17-19.

真空蒸发法制备氧化钒薄膜的研究

吴淼;胡明;张之圣;刘志刚;温宇峰

天津大学电子信息工程学院,天津,300072

出版日期:2005-02-15 发布日期:2021-01-15
基金资助:
天津市自然科学基金(043600811)

Properties of VOx Thin Films Prepared by Vacuum Evaporation

Wu Miao;Hu Ming;Zhang Zhisheng;Liu Zhigang;Wen Yufeng

Online:2005-02-15 Published:2021-01-15

摘要/Abstract

摘要： 以V2O5粉末为原料,采用真空蒸发结合真空热处理方法制备VOx薄膜,运用XRD(X射线衍射)和SEM(扫描电子显微镜)技术分析了基片材料、基片温度、真空热处理工艺对氧化钒薄膜结晶状态、物相组成和表面形貌的影响,在基片温度为200℃和400℃时所沉积的氧化钒薄膜在室温附近的电阻温度系数(TCR)分别达到-3%,并发现随着基片温度的升高,薄膜在室温附近的电阻率降低,TCR绝对值减小.

吴淼;胡明;张之圣;刘志刚;温宇峰. 真空蒸发法制备氧化钒薄膜的研究[J]. 硅酸盐通报, 2005, 24(1): 17-19.

Wu Miao;Hu Ming;Zhang Zhisheng;Liu Zhigang;Wen Yufeng. Properties of VOx Thin Films Prepared by Vacuum Evaporation[J]. BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY, 2005, 24(1): 17-19.