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硅酸盐通报 ›› 2004, Vol. 23 ›› Issue (4): 79-81.

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掺杂ZnO-B2O3低温烧结BiNbO4介质陶瓷的研究

张启龙;杨辉;魏文霖;王信权;陆德龙   

  1. 浙江大学材料与化工学院,杭州,310027;浙江正原电气股份有限公司,嘉兴,314003
  • 出版日期:2004-08-15 发布日期:2021-01-15
  • 基金资助:
    浙江省科技攻关项目(0221101562)

A Study on Low Temperature Sintered BiNbO4 Dielectric Ceramics Doped by ZnO-B2O3

  • Online:2004-08-15 Published:2021-01-15

摘要: 研究了烧结助剂ZnO-B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响.结果表明:ZnO-B2O3形成晶界玻璃相存在于晶粒之间,促进烧结,大幅度降低BiNbO4陶瓷的烧结温度,促使瓷体晶粒尺寸均匀和致密;但ZB的质量分数大于3%,阻碍晶粒长大,破坏晶体结构和排列,导致材料的缺陷和本征损耗增加,从而降低材料的介电性能.ZnO-B2O3的掺杂量以1%为最佳,在880℃保温4h,可达到97%理论密度,在100MHz测试频率下,εr=42,tanδ<1.5×10-3.

关键词: 低温烧结;介电性能;微波介质陶瓷;BiNbO4陶瓷