渗硅碳化硅材料的高温氧化

硅酸盐通报 ›› 2001, Vol. 20 ›› Issue (4): 52-55.

渗硅碳化硅材料的高温氧化

魏明坤;张丽鹏;武七德

武汉理工大学材料学院

出版日期:2001-08-15 发布日期:2021-01-15

High Temperature Oxidation Behavior of Melt-infiltrated Silicon Carbide

Online:2001-08-15 Published:2021-01-15

摘要/Abstract

摘要： 研究了全碳粉反应渗硅碳化硅(PCRBSC)材料,在1300℃静态空气中的高温氧化行为.研究结果表明:PCRBSC材料的氧化过程遵循直线-抛物线规律,其结构对高温氧化有很大的影响,特别是游离硅fsi和游离碳fc的含量对氧化影响更大,fsi含量高的PCRBSC材料单位面积氧化增重(Δm/s)明显,fc含量高的PCRBSC材料氧化后表现为先减重后增重,氧化层断口经扫描电镜观察有明显的气孔存在.

中图分类号:

TB35

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High Temperature Oxidation Behavior of Melt-infiltrated Silicon Carbide

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