烧成温度对SiC多孔陶瓷的影响

硅酸盐通报 ›› 2000, Vol. 19 ›› Issue (5): 40-43.

烧成温度对SiC多孔陶瓷的影响

张锐;符水龙;卢红霞;许红亮;刘俊峰;赵宏伟

郑州大学(北区)材料科学与工程系,450002;郑州市绿文广场管理处,450006;安徽省宿州市建材局

出版日期:2000-10-15 发布日期:2021-01-15
基金资助:
河南省模具、材料工程及装备实验室基金

Influence of Sintering Temperature on Porous SiC Ceramics

Zhang Rui;Fu Shuilong;Lu Hongxia;Xu Hongliang;Liu Junfeng;Zhao Hongwei

Online:2000-10-15 Published:2021-01-15

摘要/Abstract

摘要： 选用SiC作为骨料,低熔点陶瓷结合剂和活性C作为成孔剂,对不同的烧成温度下多孔陶瓷的基本性能进行了研究.温度的提高使SiC多孔陶瓷的气孔率增大,气孔形状逐渐呈不规则变化,晶界玻璃相对SiC颗粒的润湿以及在SiC颗粒表面的扩展作用增强,提高了对骨料颗粒的粘结作用,使瓷体强度提高,但晶界玻璃相自身结合强度降低;气孔通道在1240℃烧成温度下多为贯通型,1280℃呈网状分布,1320℃下多为贯通型且存在大量交联通道;大于1300℃烧成时,由于SiC的高温氧化产物参与晶界相反应,使局部界面结合强度大大提高,出现SiC颗粒拔出断裂现象.

中图分类号:

TQ17

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