退火过程中Ti4+离子对低压ZnO陶瓷压敏性能的影响

硅酸盐通报 ›› 2000, Vol. 19 ›› Issue (3): 13-16.

退火过程中Ti4+离子对低压ZnO陶瓷压敏性能的影响

徐庆;陈文;郜定山;袁润章

武汉工业大学材料复合新技术国家实验室,430070;武汉工业大学材料科学与工程学院,430070;武汉工业大学材料科学与工程学院,430070;武汉工业大学材料复合新技术国家实验室,430070

出版日期:2000-06-15 发布日期:2021-01-15
基金资助:
武汉工业大学校科研和教改项目

Influences of Ti4+ion on Varistor Properties of Low-voltage ZnO Ceramics during Annealing Process

Xu Qing;Chen Wen;Gao Dingshan;Yuan Runzhang

Online:2000-06-15 Published:2021-01-15

摘要/Abstract

摘要： 本文对烧成后的掺TiO2低压ZnO压敏陶瓷进行了退火处理,测量了不同退火温度下ZnO陶瓷的压敏性能,运用XRD、SEM等分析方法研究了退火过程中ZnO陶瓷结构的变化.研究结果表明,退火过程中Ti4+离子取代Zn2+离子而固溶进入ZnO晶粒表面,是引起ZnO陶瓷压敏性能变化的主要原因,在退火温度不超过400℃时可获得较好的压敏性能.

中图分类号:

TQ17

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