用微波电子自旋共振等离子源离子注入增强溅射沉积法在玻璃表面制备氧化铟膜

硅酸盐通报 ›› 2000, Vol. 19 ›› Issue (2): 22-24.

用微波电子自旋共振等离子源离子注入增强溅射沉积法在玻璃表面制备氧化铟膜

王承遇;王波;陶瑛;刘洪珠;马腾才

大连轻工业学院玻璃及无机新材料研究所;离子束、电子束和激光束材料改性实验室,大连理工大学

出版日期:2000-04-15 发布日期:2021-01-15
基金资助:
国家重点实验室基金

Preparation of Indium Oxide Film on Glass Surface Using Sputtering Deposition Synchro-enchanced by Microwave ECR Plasma Source lon-implantation

Wang Chengyu;Wang Bo;Tao Ying;Liu Hongzhu;Ma Tengcai

Online:2000-04-15 Published:2021-01-15

摘要/Abstract

摘要： 利用微波电子自旋共振等离子源离子注入增强沉积法在玻璃表面制备了非化学计量半导体氧化铟膜.与反应溅射和反应沉积相比,此法制备的氧化铟膜与玻璃基体的附着良好,并因高的注入能量而改善了玻璃表面硬度.同时研究了In与O的结合能及浓度深度分布.

中图分类号:

TQ17

王承遇;王波;陶瑛;刘洪珠;马腾才. 用微波电子自旋共振等离子源离子注入增强溅射沉积法在玻璃表面制备氧化铟膜[J]. 硅酸盐通报, 2000, 19(2): 22-24.

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