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硅酸盐通报 ›› 2000, Vol. 19 ›› Issue (2): 19-21.

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常压化学气相沉积法氮氧化硅薄膜性能的研究

孟祥森;马青松;葛曼珍;杨辉   

  1. 浙江大学材料系硅材料科学国家重点实验室,杭州,310027
  • 出版日期:2000-04-15 发布日期:2021-01-15
  • 基金资助:
    中国科学院资助项目%浙江省新世纪151人才工程项目

Properties of Silicon Oxynitride Thin Films Prepared by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition

Meng Xiangsen;Ma Qingsong;Ge Manzhen;Yang Hui   

  • Online:2000-04-15 Published:2021-01-15

摘要: 我们用常压化学气相沉积法(APCVD),以SiH4和NH3为先驱体,在较低的温度(<700℃)下制备氮氧化硅(Si-O-N)薄膜,并对其性能进行了研究.研究结果表明氮氧化硅薄膜能使改性后平板玻璃硬度提高40%,并具有良好的抗高温氧化性,这种薄膜在材料表面改性领域有着广阔的应用前景.

关键词: 氮氧化硅;APCVD;硬度;高温氧化性;表面改性

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